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產品描述
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中文名 |
化學式 |
CAS號 |
英文簡稱 |
英文名 |
類別 |
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四（甲乙胺）鋯 |
C12H32N4Zr |
175923-04-3 |
TEMAZ |
Tetrakis(ethylmethylamino)zirconium |
前驅體 |
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四（甲乙胺）鋯（TEMAZ） |
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化學式 |
C12H32N4Zr |
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中文名稱 |
四（甲乙胺）鋯 |
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英文名稱 |
Tetrakis(ethylmethylamino)zirconium |
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CAS No. |
175923-04-3 |
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分子量 |
323.63 |
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應用 |
主要用于CVD、ALD、等離子體增強原子層沉積(PEALD)工藝，是生產ZrO2的前驅體。 ZrO2在45nm晶體管的制備中代替二氧化硅，可以顯著減少漏電量，還是COMS和動態存儲（DRAM）的高k絕緣材料，是目前解決動態存儲和高清顯示技術難題的最優選材料之一；可作阻變存儲器的介質層前驅體；可作鋰離子電池正極包覆沉積前驅體。 |
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產品規格 |
6N（99.9999%） |
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