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產品描述
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中文名 |
化學式 |
CAS號 |
英文簡稱 |
英文名 |
類別 |
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四（甲乙胺）鉿 |
C12H32HfN4 |
352535-01-4 |
TEMAH |
Ethanamine, N-methyl-,hafnium(4+) salt (4:1) |
前驅體 |
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四（甲乙胺）鉿 （TEMAH） |
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化學式 |
C12H32HfN4 |
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中文名稱 |
四（甲乙胺）鉿 |
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英文名稱 |
Ethanamine, N-methyl-,hafnium(4+) salt (4:1) |
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CAS No. |
352535-01-4 |
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分子量 |
410.9 |
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應用 |
主要用于CVD和ALD的前驅體材料，用于沉積鉿的前驅物，制備鉿氧化物薄膜；可以用于COMS和下一代DRAM的高k絕緣材料，廣泛應用于45nm下直至7nm技術等先進CMOS集成電路技術中。其應用于新型阻變/憶阻器件(RRAM)研究中，可展現良好的微縮特性，還可在10nm尺度下保持良好的阻變特性；在鐵電存儲器件(FeRAM)、鐵電場效應晶體管(FeFET)、鐵電負電容晶體管(NC-FET)、鐵電隧道結等新功能器件制造方面表現出良好的微縮特性，為類腦型神經形態計算等變革性技術研究與發展提供新的途徑。還可替代二氧化硅，作為金屬-氧化物-半導體場效應晶體管(MOSFET)的柵極。 |
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產品規格 |
6N（99.9999%） |
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